Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/240
Назва: SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMS
Інші назви: ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs, ПАССИВИРОВАННЫХ АТОМАМИ СЕРЫ
ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs, ПАСИВОВАНИХ АТОМАМИ СІРКИ
Автори: Ptashchenko, Oleksandr O.
Ptashchenko, Fedir O.
Masleyeva, N. V.
Bogdan, O. V.
Птащенко, Александр Александрович
Птащенко, Федор Александрович
Маслеева, Наталья Владимировна
Богдан, О. В.
Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Федір Олександрович
Маслєєва, Наталя Володимирівна
Богдан, О. В.
Бібліографічний опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Дата публікації: 2009
Видавництво: Астропринт
Ключові слова: influence
surface current
P — N junctions
поверхностный ток
P-N — переход
исследования
поверхневий струм
Р-N — перехід
дослідження
Серія/номер: ;№ 18. - С. 115 - 118.
Короткий огляд (реферат): Influence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p-n structures in a neutral (helium) atmosphere at room temperature on I-V characteristics of forward and reverse currents was studied. The storage strongly reduces the excess forward current and the reverse current in p-n junctions. The ideality coefficient of I-V characteristics decreases with the storage. This effect has two stages. It is showed that all these phenomena can be explained by lowering of the surface recombination centers density and reduction of the electrically active centers concentration in the surface depletion layer. Исследовано влияние хранения (низкотемпературного отжига) пассивированных атомами серы p-n переходов на основе GaAs в нейтральной атмосфере (в гелии) при комнатной температуре на ВАХ прямого и обратного токов. При хранении существенно уменьшаются прямой избыточный ток и обратный ток в p-n переходах. Коэффициент идеальности ВАХ уменьшается в процессе хранения. Этот процесс двухстадийный. Показано, что все эти явления можно объяснить уменьшением плотности поверхностных центров рекомбинации и уменьшением концентрации электрически активных центров в поверхностном обедненном слое. Досліджено вплив зберігання (низькотемпературного відпалу) пасивованих атомами сірки p-n переходів на основі GaAs у нейтральній атмосфері (в гелії) при кімнатній температурі на ВАХ прямого і зворотного струмів. При зберіганні значно зменшуються надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах. Коефіцієнт ідеальності ВАХ зменшується процесі зберігання. Даний процес є двостадійний. Показано, що всі ці явища можна пояснити зменшенням щільності поверхневих центрів рекомбінації та зменшенням концентрації електрично активних центрів у поверхневому збідненому шарі.
Опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/240
Розташовується у зібраннях:Photoelectronics

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
fotoel_18_2009_115-118.pdf103.51 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.