DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/240

Название: SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMS
Другие названия: ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs, ПАССИВИРОВАННЫХ АТОМАМИ СЕРЫ
ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs, ПАСИВОВАНИХ АТОМАМИ СІРКИ
Авторы: Ptashchenko, O. O.
Ptashchenko, F. O.
Masleyeva, N. V.
Bogdan, O. V.
Птащенко, А. А.
Птащенко, Ф. А.
Маслеева, Н. В.
Богдан, О. В.
Птащенко, О. О.
Птащенко, Ф. О.
Маслєєва, Н. В.
Богдан, О. В.
Ключевые слова: influence
surface current
P — N junctions
поверхностный ток
P-N — переход
исследования
поверхневий струм
Р-N — перехід
дослідження
Дата публикации: 2009
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 18. - С. 115 - 118.
Краткий осмотр (реферат): Influence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p-n structures in a neutral (helium) atmosphere at room temperature on I-V characteristics of forward and reverse currents was studied. The storage strongly reduces the excess forward current and the reverse current in p-n junctions. The ideality coefficient of I-V characteristics decreases with the storage. This effect has two stages. It is showed that all these phenomena can be explained by lowering of the surface recombination centers density and reduction of the electrically active centers concentration in the surface depletion layer. Исследовано влияние хранения (низкотемпературного отжига) пассивированных атомами серы p-n переходов на основе GaAs в нейтральной атмосфере (в гелии) при комнатной температуре на ВАХ прямого и обратного токов. При хранении существенно уменьшаются прямой избыточный ток и обратный ток в p-n переходах. Коэффициент идеальности ВАХ уменьшается в процессе хранения. Этот процесс двухстадийный. Показано, что все эти явления можно объяснить уменьшением плотности поверхностных центров рекомбинации и уменьшением концентрации электрически активных центров в поверхностном обедненном слое. Досліджено вплив зберігання (низькотемпературного відпалу) пасивованих атомами сірки p-n переходів на основі GaAs у нейтральній атмосфері (в гелії) при кімнатній температурі на ВАХ прямого і зворотного струмів. При зберіганні значно зменшуються надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах. Коефіцієнт ідеальності ВАХ зменшується процесі зберігання. Даний процес є двостадійний. Показано, що всі ці явища можна пояснити зменшенням щільності поверхневих центрів рекомбінації та зменшенням концентрації електрично активних центрів у поверхневому збідненому шарі.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/240
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_18_2009_115-118.pdf103,51 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь