Теоретичні основи наноелектроніки : конспект лекцій
Вантажиться...
Дата
2016
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
В лекціях розглядаються основні принципи квантової наноелектроніки, особливості
переносу заряду, тепла і спіну та квантові інтерференційні ефекти в електронних
наносхемах, простіші моделі базових елементів наноелектроніки.
Посібник призначено для студентів першого курсу магістратури
ОНУ імені І.І. Мечникова спеціальності «Фізика та астрономія».
Опис
Ключові слова
густина станів та розподіл Фермі, класичний закон Ома, густина станів у тонкому нанопровіднику (проста модель), опір нанопровідника «ненульового» діаметру, врахування хвильових властивостей носіїв, формула Ландауера для опору потенціального бар’єру, квантовий інтерференційний польовий транзистор, хімічний потенціал та теплоємність провідника, провідність та дифузія, теплові явища, гігантський магнітоопір, інжекція спінів, електро-спіновий модулятор
Бібліографічний опис
Адамян, В. М. Теоретичні основи наноелектроніки : конспект лекцій / В. М. Адамян, В. В. Завальнюк; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Ф-т математики,фізики та інформаційних технол., Каф. теоретичної фізики та астрономії. – Одеса, 2016. – 60 с.