Материалы для низкотемпературных датчиков магнитного поля
Вантажиться...
Файли
Дата
2010
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
В одноосных магнитных кристаллах с большим значением константы
кристаллического поля D и единичным значением атомных спинов S в случае, когда
внешнее магнитное поле h направлено вдоль кристаллографической оси (ось z),
возможны две одноподрешеточные фазы, обладающие аксиальной симметрией.
Первая из них – обычная ферромагнитная фаза (ФМФ) с осью ферромагнитного
упорядочения, направленной вдоль оси z. Вторая – квадрупольная фаза (КФ), в
которой при нулевой температуре (T=0) даже в присутствии поля h намагниченность
в системе равна нулю: МZ=0 [1]. При отличных от нуля температурах
намагниченность МZ определяется системой двух трансцендентных уравнений [2].
Решения этой системы различны для различных фаз, а фазовый переход (ФП) из КФ
в ФМФ, индуцируемый увеличением внешнего магнитного поля, происходит как
ФП первого рода, сопровождающийся скачком намагниченности [3]. При низких
температурах значение критического поля h*, при котором происходит этот переход,
практически не зависит от температуры. Таким образом, фиксируя скачок
намагниченности МZ, можно судить о достижении магнитным полем критического
значения.
Опис
Ключові слова
одноосные магнитные кристаллы, кристаллическое поле типа «легкая плоскость», датчик магнитного поля
Бібліографічний опис
"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.