Модификация объемных и приповерхностных свойств фосфида галлия в процессе лазерного легирования атомами индия
Вантажиться...
Файли
Дата
2010
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Разработка методов и понимание механизмов управления свойствами
полупроводниковых материалов является одной из главных задач для создания
оптоэлектронных устройств с заданными свойствами. Как было показано в [1],
лазерное легирование позволяет получать гетеропереходы с приемлемыми
фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами.
Опис
Ключові слова
свойства полупроводниковых материалов, лазерное легирование, гетероструктуры GaInP-GaP, фосфид галлия
Бібліографічний опис
"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.