Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23381
Назва: | Модификация объемных и приповерхностных свойств фосфида галлия в процессе лазерного легирования атомами индия |
Автори: | Стукалов, Сергей Анатольевич Жуков, Сергей Александрович Евтушенко, Нина Германовна Тюрин, Александр Валентинович Ротнер, Сергей Михайлович Тюрін, Олександр Валентинович Tyurin, Oleksandr V. Жуков, Сергій Олександрович Zhukov, Serhii O. |
Бібліографічний опис: | "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с. |
Дата публікації: | 2010 |
Ключові слова: | свойства полупроводниковых материалов лазерное легирование гетероструктуры GaInP-GaP фосфид галлия |
Короткий огляд (реферат): | Разработка методов и понимание механизмов управления свойствами полупроводниковых материалов является одной из главных задач для создания оптоэлектронных устройств с заданными свойствами. Как было показано в [1], лазерное легирование позволяет получать гетеропереходы с приемлемыми фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23381 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
169.pdf | 258.91 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.