Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23381
Title: | Модификация объемных и приповерхностных свойств фосфида галлия в процессе лазерного легирования атомами индия |
Authors: | Стукалов, Сергей Анатольевич Жуков, Сергей Александрович Евтушенко, Нина Германовна Тюрин, Александр Валентинович Ротнер, Сергей Михайлович Тюрін, Олександр Валентинович Tyurin, Oleksandr V. Жуков, Сергій Олександрович Zhukov, Serhii O. |
Citation: | "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с. |
Issue Date: | 2010 |
Keywords: | свойства полупроводниковых материалов лазерное легирование гетероструктуры GaInP-GaP фосфид галлия |
Abstract: | Разработка методов и понимание механизмов управления свойствами полупроводниковых материалов является одной из главных задач для создания оптоэлектронных устройств с заданными свойствами. Как было показано в [1], лазерное легирование позволяет получать гетеропереходы с приемлемыми фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23381 |
Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.