Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23381
Title: Модификация объемных и приповерхностных свойств фосфида галлия в процессе лазерного легирования атомами индия
Authors: Стукалов, Сергей Анатольевич
Жуков, Сергей Александрович
Евтушенко, Нина Германовна
Тюрин, Александр Валентинович
Ротнер, С. М.
Тюрин, Олександр Валентинович
Tiuryn, Oleksandr V.
Жуков, Сергій Олександрович
Zhukov, Serhii O.
Citation: "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.
Issue Date: 2010
Keywords: свойства полупроводниковых материалов
лазерное легирование
гетероструктуры GaInP-GaP
фосфид галлия
Abstract: Разработка методов и понимание механизмов управления свойствами полупроводниковых материалов является одной из главных задач для создания оптоэлектронных устройств с заданными свойствами. Как было показано в [1], лазерное легирование позволяет получать гетеропереходы с приемлемыми фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23381
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
169.pdf258.91 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.