Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23380
Назва: | Влияние облучения электронами на характеристики инжекционных фотоприемников |
Автори: | Курмашев, Шамиль Джамашевич Викулин, Иван Михайлович Беньковский, П. В. |
Бібліографічний опис: | "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с. |
Дата публікації: | 2010 |
Видавництво: | Астропринт |
Ключові слова: | фотоприемник фоточувствительность облучение быстрыми электронами |
Короткий огляд (реферат): | В работе изучались кремниевые фотоприемники (фоторезисторы и инжекционные фотодиоды), изготовленные из компенсированного материала (Si<Au>), подвергнутые облучению потоками быстрых электронов. Радиационная стойкость фотоприемников в первую очередь определяется степенью деградации значений удельной обнаружительной способности и фоточувствительности. Обнаружено, что низкотемпературный край нормированных спектров относительной фоточувствительности, зарегистрированных при температурах 77 и 100 К, для фотоприемников до и после облучения быстрыми электронами с интегральным потоком 3·1015 см-2, смещается в длинноволновую сторону (участок спектра собственной фоточувствительности). Это можно связать с образованием новых энергетических уровней в запрещенной зоне кремния. В то же время коротковолновый край участка спектра примесной фоточувствительности смещается в высокоэнергетическую сторону спектра. Величины абсолютных значений обнаружительной способности и фоточувствительности резко уменьшаются. Уменьшается также быстродействие, т.к. при облучении сопротивление эквивалентного фоторезистора увеличивается.. Отмечена высокая чувствительность коэффициента фотоэлектрического усиления к облучению быстрыми электронами |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/23380 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
319.pdf | 258.03 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.