Вивчення енергетичного розподілу глибоких центрів в гетеропарі CdS-Cu2S методом DLTS з режимом зондування оптично індукованого заряду
Вантажиться...
Файли
Дата
2014
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
В бар’єрній області неідеального гетеропереходу CdS-Cu2S при фотозбудженні реалізується механізм зміни форми потенціалу бар'єру за рахунок накопичення нерівноважного позитивного заряду на пасткових центрах, що призводить до зміни провідності гетероструктури. Цей ефект використаний для створення оптичного сенсору на основі зазначеної сполуки. Саме глибокі діркові центри захвату в ОПЗ CdS грають вирішальну роль у фотоелектричних властивостях гетеропереходу. Тому дослідження саме цих центрів становить особливий інтерес.
Опис
Ключові слова
енергетичний розподіл, глибокий центр, гетеропара, оптично-індукований заряд
Бібліографічний опис
6-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.