Дослідження оптичних та фотоелектричних властивостей халькогенідів цинку, легованих Ті та V
Вантажиться...
Файли
Дата
2014
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
останні роки значно зріс інтерес до дослідження кристалів групи А2В6, легованих перехідними елементами (Ті, V, Cr, Мп, Fe, Co, Ni). Кристали халькогенідів цинку, що містять домішки Сг та Fe, використовуються в якості активних середовищ і пасивних затворів для лазерів ІЧ-діапазону. Існування декількох зарядових станів Ті, V, Ni в забороненій зоні кристалів групи А2Вб, і можливості перемикання між ними, дає можливість створення опто-оптичних перемикачів [І]. Це визначає актуальність досліджень оптичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnS, ZnSe, ZnTe, легованих Ті та V.
Опис
Ключові слова
халькогенід цинку, фотоелектричні властивості, оптичні властивості
Бібліографічний опис
6-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.