Плазмова модель електронних властивостей матеріалів, що утримують підсистему циліндричних нановключень в об’ємі
Вантажиться...
Дата
2014
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Широке впровадження нанотехнологій у багатьох галузях сучасного промислового виробництва, з метою створення систем моніторингу та контролю (наносенсори, «розумні» електронні системи, тощо), висуває на чільне місце цілий ряд теоретичних проблем, пов’язаних з моделюванням електронних властивостей наноструктурованих матеріалів, які знаходять впровадження при розробці та виготовленні елементі електронних схем, Інорідні включення (ІВ) у базовому матеріалі нано- та мезоскопічного масштабу змінюють його локальні електронні властивості не тільки в області контакту (поблизу поверхні ІВ), але й в об’ємі - при достатній загальній концентрації ІВ в матриці базового матеріалу (БМ). Розгляд і вирішення найбільш актуальної проблеми - визначення впливу електронних та діелектричних характеристик речовини ІВ та їх геометричних і концентраційних параметрів на ефективну локальну концентрацію носіїв в нанонеоднорідному матеріалі (ННМ) у рамках плазмової моделі «електронейтральних чарунок» - окреслюють коло принципових питань досліджених у роботі.
Опис
Ключові слова
плазмова модель, електронні властивості, нанотехнологія, циліндричні нановключення, промислове виробництво
Бібліографічний опис
6-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.