Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/230
Назва: СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Інші назви: THE COMPARISON ANALYSES OF THE INFLUENCE OF THE POWER ELECTRONS AND NEUTRONS EFFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF GALLIUM ARSENIDE
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ВПЛИВУ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ І НЕЙТРОНІВ НА ЕПІТАКСІЙНІ ШАРИ АРСЕНІДУ ГАЛІЯ
Автори: Мокрицкий, В. А.
Завадский, В. А.
Ленков, С. В.
Лепих, Ярослав Ильич
Банзак, О. В.
Mokritsky, V. A.
Zavadsky, V. A.
Lenkov, S. V.
Lepikh, Yaroslav I.
Banzak, O. V.
Мокрицький, В. А.
Завадський, В. А.
Лєнков, С. В.
Лепіх, Ярослав Ілліч
Банзак, О. В.
Бібліографічний опис: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Дата публікації: 2009
Видавництво: Астропринт
Ключові слова: радиация
эпитаксиальный слой
радиационная стойкость
арсенид галлия
radiation
epitaxial layer
radiating resistance
gallium arsenide
радіація
епітаксійний шар
радіаційна стійкість
арсенід галія
Серія/номер: ;№ 4. - С. 51 - 54.
Короткий огляд (реферат): Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені- ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.
Опис: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2009.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/230
Розташовується у зібраннях:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
sens4_09_51-54.pdf.pdf91.06 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.