Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/230
Title: СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Other Titles: THE COMPARISON ANALYSES OF THE INFLUENCE OF THE POWER ELECTRONS AND NEUTRONS EFFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF GALLIUM ARSENIDE
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ВПЛИВУ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ І НЕЙТРОНІВ НА ЕПІТАКСІЙНІ ШАРИ АРСЕНІДУ ГАЛІЯ
Authors: Мокрицкий, В. А.
Завадский, В. А.
Ленков, С. В.
Лепих, Ярослав Ильич
Банзак, О. В.
Mokritsky, V. A.
Zavadsky, V. A.
Lenkov, S. V.
Lepikh, Yaroslav I.
Banzak, O. V.
Мокрицький, В. А.
Завадський, В. А.
Лєнков, С. В.
Лепіх, Ярослав Ілліч
Банзак, О. В.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2009
Publisher: Астропринт
Keywords: радиация
эпитаксиальный слой
радиационная стойкость
арсенид галлия
radiation
epitaxial layer
radiating resistance
gallium arsenide
радіація
епітаксійний шар
радіаційна стійкість
арсенід галія
Series/Report no.: ;№ 4. - С. 51 - 54.
Abstract: Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені- ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2009.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/230
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
sens4_09_51-54.pdf.pdf91.06 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.