Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак.
Вантажиться...
Дата
2011
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
На протяжении ряда лет на физическом факультете Одесского
национального университета имени И.И. Мечникова читается специальный
курс “Фотоэлектрические процессы в полупроводниках” для студентов,
специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков.
Практическим подкреплением теоретических положений, рассматриваемых в
данном курсе, является выполнение лабораторных работ на специальном
практикуме. Этот практикум предусматривает обучение студентов различным
методам определения основных параметров полупроводниковых материалов на
основе изучения их фотоэлектрических характеристик.
В данных методических указаниях рассмотрено 5 работ, посвященных
определению скорости поверхностной рекомбинации, оптической ширины
запрещённой зоны и других параметров по изучению спектрального
распределения фототока; определению времени жизни и диффузионной длины
неосновных носителей; а также изучению некоторых эффектов, связанных с
наличием двух типов центров рекомбинации - оптического и температурного
гашения.
Работы выполняются на собранных установках, в которых используется
стандартная современная аппаратура. Подробные схемы и детальное описание
каждой установки позволяет студентам самостоятельно подготовить образцы и
измерительные приборы к работе.
В начале каждой работы приведён теоретический материал, позволяющий
разобраться в процессах, протекающих в полупроводниках, методике
измерений и расчёте параметров образцов.
При вычислениях следует учитывать, что традиционно бόльшая часть
величин в физике полупроводников имеет смешанную размерность –
электрические параметры берутся из системы СИ (А, В, Ом), а геометрические,
сечение захвата, расстояние между контактами, размеры образца и т.д. – из
системы СГС (см). Поэтому все используемые в данных методических
указаниях величины приводятся вместе со своей размерностью. Чтобы избежать ошибок при расчетах следует поступать таким образом. Все
величины перед подстановкой в рабочие формулы необходимо перевести в
систему СИ. Чаще всего это потребует переводить сантиметры или
миллиметры (иногда нанометры) в метры. Ответ при этом, естественно, также
будет получен в СИ. Вот его следует вернуть в общепризнанную размерность.
Чаще всего это потребует переводить метры в сантиметры. Особое внимание
необходимо в расчётах с применением значений температуры (измеряется во
внесистемных единицах – 0С, а используется в 0К) и энергии (получается в
системных единицах – Дж, а приводится во внесистемных – эВ).
Для удобства в завершении методических указаний помещена таблица
приставок для образования кратных и дольных величин, а также значения
некоторых наиболее употребительных констант.
В конце каждой работы приводится список контрольных вопросов. Вопросы
повышенной сложности отделены чертой.
Опис
Ключові слова
спектральное распределение, фототок в полупроводниках, неравновесные носители заряда, диффузионная длина, неосновные носители заряда, оптическое (инфракрасное) гашение фототока, температурное гашение фотопроводимости
Бібліографічний опис
Чемересюк, Г. Г. Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак. / Г. Г. Чемересюк, Ю. Н. Каракис; ОНУ им. И.И. Мечникова, Физ. фак. – Одесса : Ред.-издат. центр ОНУ им. И.И. Мечникова, 2011. - 59 с.