Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/22713
Title: Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак.
Authors: Чемересюк, Георгий Гаврилович
Каракис, Юрий Николаевич
Каракіс, Юрій Миколайович
Karakis, Yurii M.
Citation: Чемересюк, Г. Г. Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак. / Г. Г. Чемересюк, Ю. Н. Каракис; ОНУ им. И.И. Мечникова, Физ. фак. – Одесса : Ред.-издат. центр ОНУ им. И.И. Мечникова, 2011. - 59 с.
Issue Date: 2011
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: спектральное распределение
фототок в полупроводниках
неравновесные носители заряда
диффузионная длина
неосновные носители заряда
оптическое (инфракрасное) гашение фототока
температурное гашение фотопроводимости
Series/Report no.: ;Ч. 1.
Abstract: На протяжении ряда лет на физическом факультете Одесского национального университета имени И.И. Мечникова читается специальный курс “Фотоэлектрические процессы в полупроводниках” для студентов, специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков. Практическим подкреплением теоретических положений, рассматриваемых в данном курсе, является выполнение лабораторных работ на специальном практикуме. Этот практикум предусматривает обучение студентов различным методам определения основных параметров полупроводниковых материалов на основе изучения их фотоэлектрических характеристик. В данных методических указаниях рассмотрено 5 работ, посвященных определению скорости поверхностной рекомбинации, оптической ширины запрещённой зоны и других параметров по изучению спектрального распределения фототока; определению времени жизни и диффузионной длины неосновных носителей; а также изучению некоторых эффектов, связанных с наличием двух типов центров рекомбинации - оптического и температурного гашения. Работы выполняются на собранных установках, в которых используется стандартная современная аппаратура. Подробные схемы и детальное описание каждой установки позволяет студентам самостоятельно подготовить образцы и измерительные приборы к работе. В начале каждой работы приведён теоретический материал, позволяющий разобраться в процессах, протекающих в полупроводниках, методике измерений и расчёте параметров образцов. При вычислениях следует учитывать, что традиционно бόльшая часть величин в физике полупроводников имеет смешанную размерность – электрические параметры берутся из системы СИ (А, В, Ом), а геометрические, сечение захвата, расстояние между контактами, размеры образца и т.д. – из системы СГС (см). Поэтому все используемые в данных методических указаниях величины приводятся вместе со своей размерностью. Чтобы избежать ошибок при расчетах следует поступать таким образом. Все величины перед подстановкой в рабочие формулы необходимо перевести в систему СИ. Чаще всего это потребует переводить сантиметры или миллиметры (иногда нанометры) в метры. Ответ при этом, естественно, также будет получен в СИ. Вот его следует вернуть в общепризнанную размерность. Чаще всего это потребует переводить метры в сантиметры. Особое внимание необходимо в расчётах с применением значений температуры (измеряется во внесистемных единицах – 0С, а используется в 0К) и энергии (получается в системных единицах – Дж, а приводится во внесистемных – эВ). Для удобства в завершении методических указаний помещена таблица приставок для образования кратных и дольных величин, а также значения некоторых наиболее употребительных констант. В конце каждой работы приводится список контрольных вопросов. Вопросы повышенной сложности отделены чертой.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/22713
Appears in Collections:Підручники, навчальні посібники та інші науково- та навчально-методичні праці ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
karakis.pdf504.25 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.