Show simple item record

dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолий Павлович
dc.contributor.authorЗубрицкий, Сергей Всеволодович
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.date.accessioned2019-03-09T10:22:34Z
dc.date.available2019-03-09T10:22:34Z
dc.date.issued2015
dc.identifierУДК 621.328(076.5)
dc.identifier.citationЧебаненко, А. П. Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”/ А. П. Чебаненко; С. В. Зубрицкий; Ю. Н. Каракис; Одесса: «Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова», 2015. – 60 с.uk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/22710
dc.description.abstractВ течение ряда лет на физическом факультете Одесского национального университета читается специальный курс “Приборы твёрдотельной электроники” для студентов, специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков. Практическим подкреплением теоретических положений, рассматриваемых в данном курсе, является выполнение лабораторных работ на специальном практикуме. Этот практикум предусматривает обучение студентов различным методам исследования характеристик и параметров основных полупроводниковых приборов, используемых в современной электронике. В настоящих методических указаниях рассмотрены работы, посвященные исследованию полупроводниковых приборов, принцип действия которых базируется на свойствах р-n-перехода: выпрямительных диодов, опорных диодов, импульсных диодов, туннельных диодов, фотодиодов. Работы выполняются на собранных установках, в которых используется стандартная аппаратура. В описании каждой задачи приведен теоретический материал, позволяющий разобраться в процессах, протекающих в изучаемых полупроводниковых приборах, а также методике измерений и обработке экспериментальных результатов. При этом существенное внимание уделяется рассмотрению физической модели, снабжаемой по мере необходимости математическими выкладками. Более детальные выводы можно найти в литературе, список которой предлагается в завершении методических указаний. В конце каждой работы приводится список контрольных вопросов. Вопросы повышенной сложности отделены чертой.Методические указания написаны в соответствии с действующей ныне программой дисциплины “Приборы твёрдотельной электроники”. Цель данного издания – помочь студентам специализации “Физика полупроводников и диэлектриков” в их самостоятельной работе над соответствующими курсами. Указания призваны выработать у студентов навыки самостоятельной экспериментальной работы, а также применять теоретические знания для решения практических задач. Для студентов 4-го курса физического факультета специализации “физика полупроводников и диэлектриков”.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Ч. 1.
dc.subjectp-n-переход в вырожденном полупроводникеuk
dc.subjectвольт-амперные характеристики туннельного диодаuk
dc.subjectуравнения фотодиодаuk
dc.subjectхарактеристика фотоэлементовuk
dc.subjectэкспериментальная установкаuk
dc.subjectприборы твёрдотельной электроникиuk
dc.subjectполупроводниковые приборыuk
dc.titleМетодические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму "Физика полупроводниковых приборов"uk
dc.typeLearning Objectuk


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record