Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2264
Title: Вплив структури кремнієвих P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів.
Other Titles: Влияние структуры кремниевых P-N переходов на их характеристики как газовых сенсоров.
EFFECT OF THE STRUCURE OF SILICON P-N JUNCTIONS ON THEIR CHARACTERISTICS AS GAS SENSORS
Authors: Птащенко, Ф. О.
Птащенко, Олександр Олександрович
Довганюк, Г. В.
Птащенко, Ф. А.
Птащенко, Александр Александрович
Довганюк, Г. В.
Ptashchenko, F. O.
Ptashchenko, Oleksandr O.
Dovganyuk, G. V.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2011
Publisher: Астрапринт
Keywords: газовий сенсор
чутливість
p-n перехід
рівень легування
провідний канал
тунелювання
газовый сенсор
чувствительность
p-n переход
уровень легирования
проводящий канал
туннелирование
gas sensor
sensitivity
p-n junction
doping level
conducting channel
tunneling
Series/Report no.: ;Т.2(8),№4 С.13-19
Abstract: Досліджено вплив рівня легування кремнієвих p-n переходів на їхні характеристики як сенсорів парів аміаку. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул донорного газу.Встановлено, що при зростанні концентрації легуючих домішок змінюється механізм чутливості сенсор ів. При низькому рівні легування газова чутливість обумовлена утворенням поверхневого каналу з електронною провідністю. У сильно легованих структурах значну роль у формуванн і поверхневого зворотного струму відіграє тунелювання електронів у поверхневий канал. Підвищення рівня легування веде до зниження фонового прямого струму сенсорів і до суттєвого зниження чутливості при низьких концентраціях парів аміаку.
Исследовано влияние уровня легирования кремниевых p-n переходов на их характеристики как сенсоров паров аммиака. Проведены численные двумерные расчеты неравновесных поверхностных процессов в p-n переходах при адсорбции молекул донорного газа.Обнаружено, что при повышении концентрации легирующих примесей изменяется механизм чувствительности сенсоров.При низком уровне легирования газовая чувствительность обусловлена образованием поверхностного канала с электронной проводимостью.В сильно легированных структурах значительную роль в формировании поверхностного обратного тока играет туннелирование электронов в поверхностный канал.Повышение уровня легирования ведет к снижению фонового прямого тока сенсоров та к существенному снижению чувствительности при низких концентрациях паров аммиака.
Effect of the doping level of silicon p-n junctions was studied on their characteristics as ammonia vapors sensors. Numerical 2-D calculations of the non-equilibrium surface processes in p-n junctions, due to the adsorption of donor gas molecules, were performed. It is established that the mechanism of the sensitivity of sensors is changed with the increase in the impurities concentrations. Under a low doping level the sensitivity is due to the forming of a surface channel with electron conductivity. In highly doped structures the electron tunneling into the surface channel plays a significant role in the reverse surface current forming. The increase in the doping level results in a lowering of the background forward current of sensors and to a significant sensitivity decrease under low ammonia vapors concentrations.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт,2011 - T.2(8)4,- укр.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2264
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
sens4_2011.13-19.pdf146.4 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.