Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/223
Title: Влияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основе
Other Titles: Вплив швидких електронів на властивості епітаксіальних шарів кремнію та параметри фоторезисторів на їх основі
Effect of fast-moving electrons on the properties of the epitaxial layers of silicon and the parameters of photoresistors based on them
Authors: Мокрицкий, В. А.
Лепих, Ярослав Ильич
Курицын, Е. М.
Банзак, О. В.
Мокрицький, В. А.
Лепіх, Ярослав Ілліч
Куріцин, Є. М.
Банзак, О. В.
Mokritsky, V. A.
Lepikh, Yaroslav I.
Kuritsyn, E. M.
Banzak, O. V.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіes
Issue Date: 2008
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: радиация
электрон
эпитаксиальный слой
фотоответ
радиационная стойкость
радіація
електрон
епітаксійний шар
фотовідгук
радіаційна стійкість
radiation
electron
epetacselition layer
photoanswer
radiating stability
Series/Report no.: ;№ 3
Abstract: Исследована радиационная стойкость параметров датчиков ИК-излучения к облучению электронами с энергией 2,3 и 3,0 МэВ. На основе известной теории работы фоторезисторов показана связь радиационной стойкости их параметров с электрофизическими свойствами эпитаксиальных слоев кремния, используемых для изготовления таких приборов. Исследованы изменения концентрации и подвижности носителей заряда в условиях облучения разных систем “слой-подложка”. Предлагается объяснение причин таких изменений и условия проектирования радиационно стойких приборов. Досліджено радіаційну стійкість параметрів датчиків ІЧ- випромінювання до опромінення електронами з енергією 2,3 й 3,0 Мев. На основі відомої теорії роботи фоторезисторів показаний зв’язок радіаційної стійкост і їхніх параметрів з електрофізичними властивостями епітаксиальних шарів кремнію, що використовуються для виготовлення таких приладів. Досліджено зміни концентрації й рухливост і носіїв заряду в умовах опромінення різних систем “шар-підкладка”. Пропонується пояснення причин таких змін й умови проектування радіаційно стійких приладів. Radiating stability of parameters gauges of IR-radiation an irradiation electrons with energy 2,3 and 3,0 ÌåV is investigated. On the basis of the known theory work of photoresistors communication of radiating stability of their parameters with electrophysical properties epetacselition the layers of silicon used for manufacturing of such devices is shown. Changes of concentration and mobility of carriers a charge in conditions of an irradiation different systems “layer-substrate” are investigated. The explanation of the reasons of such changes and conditions of designing radiation proof devices is offered.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/223
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
34-39.pdf177.72 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.