Влияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основе
Вантажиться...
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследована радиационная стойкость параметров датчиков ИК-излучения к облучению
электронами с энергией 2,3 и 3,0 МэВ.
На основе известной теории работы фоторезисторов показана связь радиационной стойкости
их параметров с электрофизическими свойствами эпитаксиальных слоев кремния,
используемых для изготовления таких приборов. Исследованы изменения концентрации
и подвижности носителей заряда в условиях облучения разных систем “слой-подложка”.
Предлагается объяснение причин таких изменений и условия проектирования радиационно
стойких приборов. Досліджено радіаційну стійкість параметрів датчиків ІЧ- випромінювання до опромінення
електронами з енергією 2,3 й 3,0 Мев.
На основі відомої теорії роботи фоторезисторів показаний зв’язок радіаційної стійкост
і їхніх параметрів з електрофізичними властивостями епітаксиальних шарів кремнію, що
використовуються для виготовлення таких приладів. Досліджено зміни концентрації й рухливост
і носіїв заряду в умовах опромінення різних систем “шар-підкладка”. Пропонується
пояснення причин таких змін й умови проектування радіаційно стійких приладів. Radiating stability of parameters gauges of IR-radiation an irradiation electrons with energy 2,3
and 3,0 ÌåV is investigated.
On the basis of the known theory work of photoresistors communication of radiating stability of
their parameters with electrophysical properties epetacselition the layers of silicon used for manufacturing
of such devices is shown. Changes of concentration and mobility of carriers a charge in
conditions of an irradiation different systems “layer-substrate” are investigated. The explanation of
the reasons of such changes and conditions of designing radiation proof devices is offered.
Опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.
Ключові слова
радиация, электрон, эпитаксиальный слой, фотоответ, радиационная стойкость, радіація, електрон, епітаксійний шар, фотовідгук, радіаційна стійкість, radiation, electron, epetacselition layer, photoanswer, radiating stability
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіes