Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2239
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Терлецкая, Л. Л. | - |
dc.contributor.author | Копыт, Николай Харламович | - |
dc.contributor.author | Голубцов, Вячеслав Васильевич | - |
dc.contributor.author | Терлецька, Л. Л. | - |
dc.contributor.author | Копит, М. Х. | - |
dc.contributor.author | Голубцов, В. В. | - |
dc.contributor.author | Terletskaya, L. L. | - |
dc.contributor.author | Kopyt, Mykola Kh. | - |
dc.contributor.author | Golubtsov, V. V. | - |
dc.date.accessioned | 2012-02-03T11:21:24Z | - |
dc.date.available | 2012-02-03T11:21:24Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010 | uk |
dc.identifier.uri | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2239 | - |
dc.description | Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010 | uk |
dc.description.abstract | Рассмотрены особенности получения подложек GaAs с улучшенными структурными электрофизическими параметрами для сенсоров. Розработаны оптимальные технологические режимы процессов изотермической обработки и обработки исходных пластин в поле градиента температур, способствуюих значительному снижению плотности дислокаций и уменьшению объемной доли проводящих неоднородностей. Комплексное применение разработаных методов предназначено для оптимизации технологии получения подложек GaAs в производстве сенсоров и повышения их надежности. | uk |
dc.description.abstract | Розглянуто особливості отримання підкладинок GaAs з поліпшеними структурними та електрофізичними параметрами для сенсорів. Розроблено оптимальні режими процесів ізотермічної оброботки та обробки пластин у полі градієнта температур, що сприяють значному зменшенню щільності дислокацій та об'ємної частки провідних неоднорідностей. Комплексне застосування розроблених методів призначено для оптимізації технології отримання підкладинок GaAs у виробництві сенсорів з підвищеною надійністю | uk |
dc.publisher | Одесский национальный университет им.И.И. Мечникова | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;вып.47, С.154-159 | - |
dc.subject | сенсор | uk |
dc.subject | технологические режимы | uk |
dc.subject | процесс | uk |
dc.subject | плотность | uk |
dc.subject | сенсор | uk |
dc.subject | технологічний режим | uk |
dc.subject | процес | uk |
dc.subject | щільність | uk |
dc.title | Особенности улучшения структурно-чувствительных параметров сенсоров на основе гетерогенных дисперсных систем | uk |
dc.title.alternative | Особливості поліпшування структурно-чутливих параметрів сенсорів на основі гетерогенних дисперсних систем | uk |
dc.title.alternative | The features of structure-sensitives parameters improvement of heterogeneous dispersion system-base sensors | uk |
dc.type | Article | uk |
Appears in Collections: | Фізика аеродисперсних систем |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
154-159.pdf | 118.64 kB | Adobe PDF | ![]() View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.