Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2239
Назва: | Особенности улучшения структурно-чувствительных параметров сенсоров на основе гетерогенных дисперсных систем |
Інші назви: | Особливості поліпшування структурно-чутливих параметрів сенсорів на основі гетерогенних дисперсних систем The features of structure-sensitives parameters improvement of heterogeneous dispersion system-base sensors |
Автори: | Терлецкая, Л. Л. Копыт, Николай Харламович Голубцов, Вячеслав Васильевич Терлецька, Л. Л. Копит, М. Х. Голубцов, В. В. Terletskaya, L. L. Kopyt, Mykola Kh. Golubtsov, V. V. |
Бібліографічний опис: | Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010 |
Дата публікації: | 2010 |
Видавництво: | Одесский национальный университет им.И.И. Мечникова |
Ключові слова: | сенсор технологические режимы процесс плотность сенсор технологічний режим процес щільність |
Серія/номер: | ;вып.47, С.154-159 |
Короткий огляд (реферат): | Рассмотрены особенности получения подложек GaAs с улучшенными структурными электрофизическими параметрами для сенсоров. Розработаны оптимальные технологические режимы процессов изотермической обработки и обработки исходных пластин в поле градиента температур, способствуюих значительному снижению плотности дислокаций и уменьшению объемной доли проводящих неоднородностей. Комплексное применение разработаных методов предназначено для оптимизации технологии получения подложек GaAs в производстве сенсоров и повышения их надежности. Розглянуто особливості отримання підкладинок GaAs з поліпшеними структурними та електрофізичними параметрами для сенсорів. Розроблено оптимальні режими процесів ізотермічної оброботки та обробки пластин у полі градієнта температур, що сприяють значному зменшенню щільності дислокацій та об'ємної частки провідних неоднорідностей. Комплексне застосування розроблених методів призначено для оптимізації технології отримання підкладинок GaAs у виробництві сенсорів з підвищеною надійністю |
Опис: | Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010 |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2239 |
Розташовується у зібраннях: | Фізика аеродисперсних систем |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
154-159.pdf | 118.64 kB | Adobe PDF | ![]() Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.