Особенности улучшения структурно-чувствительных параметров сенсоров на основе гетерогенных дисперсных систем

Вантажиться...
Ескіз
Дата
2010
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет им.И.И. Мечникова
Анотація
Рассмотрены особенности получения подложек GaAs с улучшенными структурными электрофизическими параметрами для сенсоров. Розработаны оптимальные технологические режимы процессов изотермической обработки и обработки исходных пластин в поле градиента температур, способствуюих значительному снижению плотности дислокаций и уменьшению объемной доли проводящих неоднородностей. Комплексное применение разработаных методов предназначено для оптимизации технологии получения подложек GaAs в производстве сенсоров и повышения их надежности.
Розглянуто особливості отримання підкладинок GaAs з поліпшеними структурними та електрофізичними параметрами для сенсорів. Розроблено оптимальні режими процесів ізотермічної оброботки та обробки пластин у полі градієнта температур, що сприяють значному зменшенню щільності дислокацій та об'ємної частки провідних неоднорідностей. Комплексне застосування розроблених методів призначено для оптимізації технології отримання підкладинок GaAs у виробництві сенсорів з підвищеною надійністю
Опис
Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010
Ключові слова
сенсор, технологические режимы, процесс, плотность, сенсор, технологічний режим, процес, щільність
Бібліографічний опис
Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010
DOI
ORCID:
УДК