СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ
Вантажиться...
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Проведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе
неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным
элементам памяти позволило получить универсальное выражение для характеристической
кривой сенсора, которое хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть
использовано при исследовании сенситометрических характеристик подобных приборов.
Сделан вывод о том, что сенсор на основе неидеального гетероперехода можно охарактеризовать
с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для
фотографических материалов. Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі
неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елемент
ів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора,
який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при
дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що
сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних
сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів. The memory elements on the basis of nonideal heterojunction photoelectric characteristics have
been researched. The sensitometry concepts application to the solid-state memory elements has
allowed receiving universal expression for a sensor characteristic curve which coordinate well with
the experimental data and can be used at similar devices sensitometric characteristics research. The
conclusion that the sensor on the basis of nonideal heterojunction can be characterized with the help
of classical sensitometric characteristics developed for photographic materials is made.
Опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.
Ключові слова
гетеропереход, сенситометрия, элемент памяти, сенсор изображения, фотоматериалы, гетероперехід, сенситометрія, елемент пам'яті, сенсор зображення, фотоматеріали, heterojunction, sensitometry, memory element, image sensor, photographic materials
Бібліографічний опис
Sensor Electronics and Microsystem Technologies