Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/219
Title: СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ
Other Titles: ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ХАРАКТЕРИСТИК І ПАРАМЕТРІВ ТИПОВИХ ФОТОМАТЕРІАЛІВ І ТВЕРДОТІЛЬНОГО ЕЛЕМЕНТУ ПАМ’ЯТІ
THE TYPICAL PHOTOGRAPHIC MATERIALS AND THE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT CHARACTERISTICS AND PARAMETERS COMPARATIVE ANALYSIS
Authors: Борщак, Віталій Анатолійович
Балабан, А. П.
Борщак, Виталий Анатольевич
Балабан, А. П.
Borshchak, Vitalii A.
Balaban, A. P.
Citation: Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Keywords: гетеропереход
сенситометрия
элемент памяти
сенсор изображения
фотоматериалы
гетероперехід
сенситометрія
елемент пам'яті
сенсор зображення
фотоматеріали
heterojunction
sensitometry
memory element
image sensor
photographic materials
Series/Report no.: ;№ 1. - Р. 44- 48.
Abstract: Проведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным элементам памяти позволило получить универсальное выражение для характеристической кривой сенсора, которое хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть использовано при исследовании сенситометрических характеристик подобных приборов. Сделан вывод о том, что сенсор на основе неидеального гетероперехода можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических материалов. Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елемент ів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів. The memory elements on the basis of nonideal heterojunction photoelectric characteristics have been researched. The sensitometry concepts application to the solid-state memory elements has allowed receiving universal expression for a sensor characteristic curve which coordinate well with the experimental data and can be used at similar devices sensitometric characteristics research. The conclusion that the sensor on the basis of nonideal heterojunction can be characterized with the help of classical sensitometric characteristics developed for photographic materials is made.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/219
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
sens1_08_44-48.pdf.pdf202.24 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.