Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/215
Title: ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ
Other Titles: ФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТА ПОЛЬОВОГО ФОТОТРАНЗИСТОРІВ
PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNIJUNCTION AND FIELD-EFFECT PHOTOTRANSISTORS
Authors: Викулин, И. М.
Курмашев, Ш. Д.
Мингалев, В. А.
Вікулін, І. М.
Курмашев, Ш. Д.
Мінгальов, В. А.
Vikulin, I. M.
Kurmashev, Sh. D.
Mingalov, V. A.
Citation: Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Issue Date: 2006
Publisher: Астропринт
Keywords: фотоприемники
однопереходный транзистор
полевой транзистор
фотоприймачі
одноперехідний транзистор
польовий транзистор
photodetectors
unijunction transistor
field-effect transistor
Series/Report no.: Вип. 4. - С. 28 - 30.
Abstract: В работе исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область может быть достигнуто, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния. В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в заборонен ій зоні кремнію. Characteristics of the light converter with the frequency output on the base of the unijunction transistor were investigated. The field-effect transistor instead of resistor in the emitter circuit of the unijunction transistor was used for increase of linear dependence of the frequency for the light stream. Expansion of the photosensitivity spectrum into the infrared region may be arrived if the base of the field-effect transistor contains the dopants which made the deep level in the band gap of silicon.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/215
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
sens4_06_28-30.pdf.pdf67.91 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.