DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/215

Название: ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ
Другие названия: ФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТА ПОЛЬОВОГО ФОТОТРАНЗИСТОРІВ
PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNIJUNCTION AND FIELD-EFFECT PHOTOTRANSISTORS
Авторы: Викулин, И. М.
Курмашев, Ш. Д.
Мингалев, В. А.
Вікулін, І. М.
Курмашев, Ш. Д.
Мінгальов, В. А.
Vikulin, I. M.
Kurmashev, Sh. D.
Mingalov, V. A.
Ключевые слова: фотоприемники
однопереходный транзистор
полевой транзистор
фотоприймачі
одноперехідний транзистор
польовий транзистор
photodetectors
unijunction transistor
field-effect transistor
Дата публикации: 2006
Издатель: Астропринт
Источник: Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Серия/номер: Вип. 4. - С. 28 - 30.
Краткий осмотр (реферат): В работе исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область может быть достигнуто, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния. В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в заборонен ій зоні кремнію. Characteristics of the light converter with the frequency output on the base of the unijunction transistor were investigated. The field-effect transistor instead of resistor in the emitter circuit of the unijunction transistor was used for increase of linear dependence of the frequency for the light stream. Expansion of the photosensitivity spectrum into the infrared region may be arrived if the base of the field-effect transistor contains the dopants which made the deep level in the band gap of silicon.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/215
Располагается в коллекциях:"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
sens4_06_28-30.pdf.pdf67,91 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь