Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2127
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильич-
dc.contributor.authorМокрицкий, В. А.-
dc.contributor.authorЛенков, С. В.-
dc.contributor.authorБанзак, О. В.-
dc.contributor.authorГунченко, Ю. А.-
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Ілліч-
dc.contributor.authorМокрицький, В. А.-
dc.contributor.authorЛєнков, С. В.-
dc.contributor.authorГунченко, Ю. О.-
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.-
dc.contributor.authorMokritsky, V. A.-
dc.contributor.authorLenkov, S. V.-
dc.contributor.authorBanzak, O. V.-
dc.contributor.authorGunchenko, Yu. A.-
dc.date.accessioned2011-10-13T08:50:41Z-
dc.date.available2011-10-13T08:50:41Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2127-
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - вип.1(7)№1,2010uk
dc.description.abstractВ работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К.uk
dc.description.abstractУ роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К.uk
dc.description.abstractIn work changes of electric parameters of layers received with use scale-quantums during epetaseya are found out. The explanation of received results by formation of complexes primary radiating defects with atoms of impurity is given this assumption spectra of photoluminescence of layers of arsenide of the gallium, received with reference temperature epetaseya 1023 K.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherАстрапринтuk
dc.relation.ispartofseries;вип.1(7) № 1 С.11-12-
dc.subjectарсенид галлияuk
dc.subjectгамма-квантыuk
dc.subjectэлектроныuk
dc.subjectрадиационные дефектыuk
dc.subjectспектрыuk
dc.subjectфотолюминесценцииuk
dc.subjectэпитаксияuk
dc.subjectарсенід галіюuk
dc.subjectепітаксіяuk
dc.subjectгамма-квантиuk
dc.subjectелектрониuk
dc.subjectрадіаційні дефектиuk
dc.subjectспектри фотолюмінесценціїuk
dc.subjectarsenide of galliumuk
dc.subjectscale-quantumsuk
dc.subjectelectronsuk
dc.subjectradiating defectsuk
dc.subjectspectra of photoluminescenceuk
dc.titleРадиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлияuk
dc.title.alternativeРадіаційна модифікація спектрів фотолюмінесценції арсеніду галліяuk
dc.title.alternativeRADIATING UPDATING OF SPECTRA PHOTOLUMINESCENCE ARSENIDE OF GALLIUMuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
vol_1(7)_1_2010_11-12.pdf39.41 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.