Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2127
Название: Радиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлия
Другие названия: Радіаційна модифікація спектрів фотолюмінесценції арсеніду галлія
RADIATING UPDATING OF SPECTRA PHOTOLUMINESCENCE ARSENIDE OF GALLIUM
Авторы: Лепих, Ярослав Ильич
Мокрицкий, В. А.
Ленков, С. В.
Банзак, О. В.
Гунченко, Ю. А.
Лепіх, Ярослав Ілліч
Мокрицький, В. А.
Лєнков, С. В.
Гунченко, Ю. О.
Lepikh, Yaroslav I.
Mokritsky, V. A.
Lenkov, S. V.
Banzak, O. V.
Gunchenko, Yu. A.
Библиографическое описание: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Дата публикации: 2010
Издательство: Астрапринт
Ключевые слова: арсенид галлия
гамма-кванты
электроны
радиационные дефекты
спектры
фотолюминесценции
эпитаксия
арсенід галію
епітаксія
гамма-кванти
електрони
радіаційні дефекти
спектри фотолюмінесценції
arsenide of gallium
scale-quantums
electrons
radiating defects
spectra of photoluminescence
Серия/номер: ;вип.1(7) № 1 С.11-12
Краткий осмотр (реферат): В работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К.
У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К.
In work changes of electric parameters of layers received with use scale-quantums during epetaseya are found out. The explanation of received results by formation of complexes primary radiating defects with atoms of impurity is given this assumption spectra of photoluminescence of layers of arsenide of the gallium, received with reference temperature epetaseya 1023 K.
Описание: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - вип.1(7)№1,2010
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2127
Располагается в коллекциях:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
vol_1(7)_1_2010_11-12.pdf39.41 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.