Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2127
Title: Радиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлия
Other Titles: Радіаційна модифікація спектрів фотолюмінесценції арсеніду галлія
RADIATING UPDATING OF SPECTRA PHOTOLUMINESCENCE ARSENIDE OF GALLIUM
Authors: Лепих, Ярослав Ильич
Мокрицкий, В. А.
Ленков, С. В.
Банзак, О. В.
Гунченко, Ю. А.
Лепіх, Ярослав Ілліч
Мокрицький, В. А.
Лєнков, С. В.
Гунченко, Ю. О.
Lepikh, Yaroslav I.
Mokritsky, V. A.
Lenkov, S. V.
Banzak, O. V.
Gunchenko, Yu. A.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2010
Publisher: Астрапринт
Keywords: арсенид галлия
гамма-кванты
электроны
радиационные дефекты
спектры
фотолюминесценции
эпитаксия
арсенід галію
епітаксія
гамма-кванти
електрони
радіаційні дефекти
спектри фотолюмінесценції
arsenide of gallium
scale-quantums
electrons
radiating defects
spectra of photoluminescence
Series/Report no.: ;вип.1(7) № 1 С.11-12
Abstract: В работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К.
У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К.
In work changes of electric parameters of layers received with use scale-quantums during epetaseya are found out. The explanation of received results by formation of complexes primary radiating defects with atoms of impurity is given this assumption spectra of photoluminescence of layers of arsenide of the gallium, received with reference temperature epetaseya 1023 K.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - вип.1(7)№1,2010
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2127
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
vol_1(7)_1_2010_11-12.pdf39.41 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.