Структурно-фазові перетворення і електрофізичні властивості композиційних матеріалів на базі системи “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO”
Дата
2018
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Досліджено процеси склоутворення, кристалізації, а також вивчені фізико - хімічні властивості системи “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO” при різних співвідношеннях концентрацій вихідних компонентів і легуючих домішок, від їх гранулометричного складу з метою вибору оптимальних складів стекол для резистивних, провідникових і діелектричних шарів товстоплівкових елементів гібридних інтегральних схем, сонячних батарей, мікроелектронних сенсорів та ін. Розроблено легкоплавке скло для товстоплівкових нанокомпозитів, яке не містить токсичних сполук свинцю. У якості основного склоутворюючого компоненту обрано оксид вісмуту, який надає можливість отримувати більш легкоплавкі стекла.
The processes of the glass forming and crystallization and also physical and chemical properties of "SiO2 - B2O3 - Bi2O3 - ZnO - BaO" system with the different concentration ratios of the initial components and doping impurities, on their granulometric composition in order to choose the optimal composition of the glasses for resistive, conductive and dielectric layers of thick-film elements of hybrid integrated circuits, solar cells, microelectronic sensors, and others has been investigated. The low-melting glass for thick-film nanocomposites, which does not contain toxic compounds of lead, is developed. As the main glass-forming component, bismuth oxide is chosen, which gives the possibility of obtaining more fusible glasses.
Исследованы процессы стеклообразования, кристаллизации, а также изучены физико - химические свойства системы “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO” при различных соотно- шениях концентраций исходных компонентов и легирующих примесей, от их грануломе- трического состава с целью выбора оптимальных составов стекол для резистивных, про- водящих и диэлектрических слоев толстопленочных элементов гибридных интегральных схем, солнечных батарей, микроэлектронных сенсоров и др. Разработано легкоплавкое сте- кло для толстопленочных нанокомпозитов, не содержащее токсичных соединений свинца. В качестве основного стекрообразующего компонента избран оксид висмута, который дает возможность получать более легкоплавкие стекла.
The processes of the glass forming and crystallization and also physical and chemical properties of "SiO2 - B2O3 - Bi2O3 - ZnO - BaO" system with the different concentration ratios of the initial components and doping impurities, on their granulometric composition in order to choose the optimal composition of the glasses for resistive, conductive and dielectric layers of thick-film elements of hybrid integrated circuits, solar cells, microelectronic sensors, and others has been investigated. The low-melting glass for thick-film nanocomposites, which does not contain toxic compounds of lead, is developed. As the main glass-forming component, bismuth oxide is chosen, which gives the possibility of obtaining more fusible glasses.
Исследованы процессы стеклообразования, кристаллизации, а также изучены физико - химические свойства системы “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO” при различных соотно- шениях концентраций исходных компонентов и легирующих примесей, от их грануломе- трического состава с целью выбора оптимальных составов стекол для резистивных, про- водящих и диэлектрических слоев толстопленочных элементов гибридных интегральных схем, солнечных батарей, микроэлектронных сенсоров и др. Разработано легкоплавкое сте- кло для толстопленочных нанокомпозитов, не содержащее токсичных соединений свинца. В качестве основного стекрообразующего компонента избран оксид висмута, который дает возможность получать более легкоплавкие стекла.
Опис
Ключові слова
нанокомпозити, легкоплавкі стекла, гібридні інтегральні схеми, сенсори, nanocomposites, fusible glasses, hybrid integrated circuits, sensors, нанокомпозиты, легкоплавкие стекла, гибридные интегральные схемы, сенсоры
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies