Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/20651
Title: | The oxide structures formation on the surface of tungsten |
Other Titles: | Образование оксидных структур на поверхности вольфрама Утворення оксидних структур на поверхні вольфраму |
Authors: | Orlovskaya, Svetlana G. Lysianska, Mariia V. Орловская, Светлана Георгиевна Лисянская, Мария Владимировна Орловська, Світлана Георгіївна Лисянська, Марія Володимирівна |
Citation: | Фізика аеродисперсних систем = Physics of aerodisperse systems |
Issue Date: | 2018 |
Publisher: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Keywords: | oxide formation surface tungsten оксидные структуры поверхность вольфрама кристаллы оксида оксидні структури поверхня вольфраму кристали оксиду |
Series/Report no.: | ;Вип. 55. |
Abstract: | The temperature regimes and the kinetics of the formation of tungsten oxide crystals on the
surface of a tungsten conductor heated by an electric current in air were studied, as well as
the fractal dimension of branched oxide formations. It was shown that at the temperature
higher than 1100 K, separate formations were observed on the surface of the conductor.
These were nuclei of tungsten oxide crystals, which over time grew into branchy formations.
The fractal dimension of the structures obtained at different stages of growth was calculated
using the principle of object coverage. It was determined that at the initial stage, the growth
of crystals proceeds according to the mechanism of the Brownian motion “cluster-cluster”,
then along the Brownian motion “particle-cluster”. В работе изучаются температурные режимы и кинетика образования кристаллов оксида вольфрама на поверхности вольфрамового проводника, нагреваемого электрическим током в воздухе, а также проводятся исследования фрактальной размерности разветвленных оксидных образований. Показано, что при температуре больше 1100К на поверхности проводника наблюдалось появление отдельных образований – зародышей кристаллов оксида вольфрама, которые с течением времени разрастались в ветвистые образования. Проведен расчет фрактальной размерности полученных структур на различных этапах роста по принципу покрытия объекта. Определено, что на начальном этапе рост кристаллов идет по механизму броуновского движения «кластер-кластер», затем по механизму «частица-кластер». В роботі вивчаються температурні режими і кінетика утворення кристалів оксиду вольфраму на поверхні вольфрамового дротика, що нагрівається електричним струмом в повітрі, а також дослідження фрактальної розмірності розгалужених оксидних утворень. Показано, що при температурі більше 1100К на поверхні провідника спостерігалася поява окремих утворень - зародків кристалів оксиду вольфраму, які з плином часу розросталися в гіллясті структури. Проведено розрахунок фрактальної роз- мірності отриманих структур на різних етапах росту за принципом покриття об'єкта. Визначено, що на початковому етапі зростання кристалів йде за механізмом броунівського руху «кластер-кластер», потім за механізмом «частинка-кластер». |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/20651 |
Other Identifiers: | UDC 536.46 |
Appears in Collections: | Фізика аеродисперсних систем |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.