ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
Вантажиться...
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Разработана схема датчика температуры на основе генератора на однопереходном
транзисторе с двумя токозадающими полевыми транзисторами, частота генерации
которого линейно растет с увеличением температуры. Экспериментально исследовано воздействие
радиации на его работоспособность. Розроблена схема датчика температури на основі генератора на одноперехідному
транзисторі з двома струмозадаючими польовими транзисторами, частота генерації якого
лінійно зростає із збільшенням температури. Експериментально досліджена дія радіації
на його працездатність. The chart of sensor of temperature is developed on the basis of generator on an unijunction
transistor with two current-lead fields transistors, frequency of generation of which linear grows with
the increase of temperature. Influence of radiation is experimentally investigational on his capacity.
Опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт. –
Ключові слова
датчик, однопереходный транзистор, генератор, одноперехідний транзистор, sensor, unijunction transistor, generator
Бібліографічний опис
Sensor Electronics and Microsystem Technologies