Calculation for migration-dependent changes in near-contact space-charge regions of sensitized crystals
Файли
Дата
2010
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Energy shape for contact barrier to crystal contained R-centers has been calculated. It was shown that migration of sensitizing centers can cause the longtime changes in shape of photocurrent relaxation curves.
Рассчитан энергетический профиль контактных барьеров к кристаллу, содержащего R-центры. Показано, что миграция центров очувствления способна вызвать долговременные изменения вида релаксационных кривых фототока.
Рассчитан энергетический профиль контактных барьеров к кристаллу, содержащего R-центры. Показано, что миграция центров очувствления способна вызвать долговременные изменения вида релаксационных кривых фототока.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
Ключові слова
cristals, R-centers, photocurrent, relaxation curve, кристалл, R-центры, фототок, релаксационная кривая
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics