DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/197

Название: CALCULATION FOR MIGRATION-DEPENDENT CHANGES IN NEAR-CONTACT SPACE-CHARGE REGIONS OF SENSITIZED CRYSTALS
Другие названия: РАССЧЕТ МИГРАЦИОННО — ЗАВИСИМОГО ИЗМЕНЕНИЯ ПРИКОНТАКТНЫХ ОПЗ ОЧУВСТВЛЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ
Авторы: Dragoev, A. A.
Muntjanu, A. V.
Karakis, Yu. N.
Kutalova, M. I.
Драгоев, А. А.
Мунтяну, А. В.
Каракис, Ю. Н.
Куталова., М. И.
Ключевые слова: cristals
R-centers
photocurrent
relaxation curve
кристалл
R-центры
фототок
релаксационная кривая
Дата публикации: 2010
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 19. - P. 74 -78.
Краткий осмотр (реферат): Energy shape for contact barrier to crystal contained R-centers has been calculated. It was shown that migration of sensitizing centers can cause the longtime changes in shape of photocurrent relaxation curves. Рассчитан энергетический профиль контактных барьеров к кристаллу, содержащего R-центры. Показано, что миграция центров очувствления способна вызвать долговременные изменения вида релаксационных кривых фототока.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/197
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_19_2010_74-78.pdf93,03 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь