DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/194

Название: NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY
Другие названия: ПРОВІДНІСТЬ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ
ПРОВОДИМОСТЬ НЕИДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА
Авторы: Borschak, V. A.
Кutalova, M. I.
Smyntyna, V. A.
Balaban, A. P.
Brytavskyi, Ye. V.
Zatovskaya, N. P.
Борщак, Виталий Анатольевич
Куталова, М. І.
Сминтина, В. А.
Балабан, А. П.
Бритавський, Є. В.
Затовська, Н. П.
Борщак, Віталій Анатолійович
Куталова, М. И.
Смынтына, В. А.
Балабан, А. П.
Бритавский, Е. В.
Затовская, Н. П.
Ключевые слова: heterojunction
barrier
tunnel — jumping conductivity
гетероперехід
бар,єр
тунельно — стрибкова провідність
гетеропереход
баръер
тунельно — прыжковая проводимость
Дата публикации: 2010
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 19. - Р. 22 - 24.
Краткий осмотр (реферат): CdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region resistance essentially depends on its width (this dependence is close to linear) at fixed barrier height. It can testify to prevalence of tunnel multistage mechanisms of transfer over researched structure, for example, tunnel-jumping conductivity. Провідність гетероструктури CdS-Cu2S як на постійному, так і на змінному струмі сильно залежить від параметрів бар'єра, які можуть мінятися під впливом освітлення. Встановлено, що опір області просторового заряду істотно залежить від її ширини (ця залежність близька до лінійної) при незмінній висоті бар'єра. Це може свідчити про перевагу тунельних багатоступінчатих механізмів переносу в структурі, що досліджується, наприклад, тунельно-стрибкової провідності. Проводимость гетероструктуры CdS-Cu2S как на постоянном, так и на переменном токе сильно зависит от параметров барьера, которые могут меняться под действием освещения. Установлено, что сопротивление области пространственного заряда существенно зависит от ее ширины (эта зависимость близка к линейной) при неизменной высоте барьера. Это может свидетельствовать о преобладании туннельных многоступенчатых механизмов переноса в исследуемой структуре, например, туннельно-прыжковой проводимости.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/194
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_19_2010_22-24.pdf274,09 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь