Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/194
Title: NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY
Other Titles: ПРОВІДНІСТЬ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ
ПРОВОДИМОСТЬ НЕИДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА
Authors: Borshchak, Vitalii A.
Kutalova, Mariia I.
Smyntyna, Valentyn A.
Balaban, Andrii P.
Brytavskyi, Yevhen V.
Zatovska, Nataliia P.
Борщак, Виталий Анатольевич
Куталова, Марія Іванівна
Сминтина, Валентин Андрійович
Балабан, Андрій Петрович
Бритавський, Євген Вікторович
Затовська, Наталія Петрівна
Борщак, Віталій Анатолійович
Куталова, Мария Ивановна
Смынтына, Валентин Андреевич
Балабан, Андрей Петрович
Бритавский, Евгений Викторович
Затовская, Наталия Петровна
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2010
Publisher: Астропринт
Keywords: heterojunction
barrier
tunnel — jumping conductivity
гетероперехід
бар,єр
тунельно — стрибкова провідність
гетеропереход
баръер
тунельно — прыжковая проводимость
Series/Report no.: ;№ 19. - Р. 22 - 24.
Abstract: CdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region resistance essentially depends on its width (this dependence is close to linear) at fixed barrier height. It can testify to prevalence of tunnel multistage mechanisms of transfer over researched structure, for example, tunnel-jumping conductivity. Провідність гетероструктури CdS-Cu2S як на постійному, так і на змінному струмі сильно залежить від параметрів бар'єра, які можуть мінятися під впливом освітлення. Встановлено, що опір області просторового заряду істотно залежить від її ширини (ця залежність близька до лінійної) при незмінній висоті бар'єра. Це може свідчити про перевагу тунельних багатоступінчатих механізмів переносу в структурі, що досліджується, наприклад, тунельно-стрибкової провідності. Проводимость гетероструктуры CdS-Cu2S как на постоянном, так и на переменном токе сильно зависит от параметров барьера, которые могут меняться под действием освещения. Установлено, что сопротивление области пространственного заряда существенно зависит от ее ширины (эта зависимость близка к линейной) при неизменной высоте барьера. Это может свидетельствовать о преобладании туннельных многоступенчатых механизмов переноса в исследуемой структуре, например, туннельно-прыжковой проводимости.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/194
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_19_2010_22-24.pdf274.09 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.