NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY
Вантажиться...
Дата
2010
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
CdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters
which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region resistance essentially depends on its width (this
dependence is close to linear) at fixed barrier height. It can testify to prevalence of tunnel multistage mechanisms of transfer over researched
structure, for example, tunnel-jumping conductivity. Провідність гетероструктури CdS-Cu2S як на постійному, так і на змінному струмі сильно залежить від параметрів
бар'єра, які можуть мінятися під впливом освітлення. Встановлено, що опір області просторового заряду істотно залежить
від її ширини (ця залежність близька до лінійної) при незмінній висоті бар'єра. Це може свідчити про перевагу тунельних
багатоступінчатих механізмів переносу в структурі, що досліджується, наприклад, тунельно-стрибкової провідності. Проводимость гетероструктуры CdS-Cu2S как на постоянном, так и на переменном токе сильно зависит от параметров
барьера, которые могут меняться под действием освещения. Установлено, что сопротивление области пространственного
заряда существенно зависит от ее ширины (эта зависимость близка к линейной) при неизменной высоте барьера. Это может
свидетельствовать о преобладании туннельных многоступенчатых механизмов переноса в исследуемой структуре, например,
туннельно-прыжковой проводимости.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
Ключові слова
heterojunction, barrier, tunnel — jumping conductivity, гетероперехід, бар,єр, тунельно — стрибкова провідність, гетеропереход, баръер, тунельно — прыжковая проводимость
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics