DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/189

Название: FACTORS INFLUENCING THE YIELD STRESS OF SILICON
Другие названия: ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГА ПЛАСТИЧНОСТИ В КРЕМНИИ
Авторы: Smyntyna, V. A.
Kulinich, O. A.
Iatsunskyi, I. R.
Marchuk, I. A.
Смынтына, В. А.
Кулинич, О. А.
Яцунский, И. Р.
Марчук, И. А.
Ключевые слова: silicon
structural defects
the yield stress
кремний
структурные дефекты
порог пластичности
Дата публикации: 2010
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 19. - Р. - 120 - 126.
Краткий осмотр (реферат): Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress of silicon. Используя современные методы исследования, определенны факторы, влияющие на величину порога пластичности монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога пластичности будет зависеть от упругих напряжений, локализованных в области нахождения структурных дефектов.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/189
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_19_2010_120-124.pdf560,2 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь