FACTORS INFLUENCING THE YIELD STRESS OF SILICON
Вантажиться...
Дата
2010
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which
are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress
of silicon. Используя современные методы исследования, определенны факторы, влияющие на величину порога пластичности
монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога пластичности будет зависеть от упругих
напряжений, локализованных в области нахождения структурных дефектов.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
Ключові слова
silicon, structural defects, the yield stress, кремний, структурные дефекты, порог пластичности
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics