Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/189
Title: FACTORS INFLUENCING THE YIELD STRESS OF SILICON
Other Titles: ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГА ПЛАСТИЧНОСТИ В КРЕМНИИ
Authors: Smyntyna, Valentyn A.
Kulinich, O. A.
Iatsunskyi, Igor R.
Marchuk, I. A.
Смынтына, Валентин Андреевич
Кулинич, О. А.
Яцунский, Игорь Ростиславович
Марчук, И. А.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2010
Publisher: Астропринт
Keywords: silicon
structural defects
the yield stress
кремний
структурные дефекты
порог пластичности
Series/Report no.: ;№ 19. - Р. - 120 - 126.
Abstract: Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress of silicon. Используя современные методы исследования, определенны факторы, влияющие на величину порога пластичности монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога пластичности будет зависеть от упругих напряжений, локализованных в области нахождения структурных дефектов.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/189
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_19_2010_120-124.pdf560.2 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.