Исследование релаксации фототока в полупроводниковом устройстве
Вантажиться...
Дата
2003
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
Исследуются особенности релаксации фототока в кристаллах сульфида кадмия с запорными контактами, являющихся основой полупроводникового устройства, которые связаны с пространственным перераспределением S- и /^-центров. Обнаруженные закономерности дают возможность создавать фотоэлектронные приборы, использующие рассмотренные процессы.
Опис
Ключові слова
релаксация фототока, полупроводниковое устройство
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics