Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/18651
Title: | Исследование релаксации заряда в тонких пленках сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон |
Authors: | Алешин, Алексей Николаевич Ляшевская, В. А. Мандель, Владимир Ефимович Павлов, С. С. Пастернак, Валерий Александрович Тюрин, Александр Валентинович Тюрін, Олександр Валентинович Tyurin, Oleksandr V. |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2003 |
Publisher: | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова |
Keywords: | релаксация заряда окисная фаза |
Series/Report no.: | ;Вип. 12. |
Abstract: | Предложена методика изучения влияния потенциальных барьеров для носителей тока на границе раздела кристаллит — окисная фаза на электрические свойства пленок сульфида свинца, в соответствии с которой, измеряя кинетические зависимости постоянной времени релаксации темнового и фототока от прикладываемого напряжения, можно судить не только о поведении омической проводимости, но и о емкостной и индуктивной проводимостях пленки, обусловленных релаксацией заряда на межкристаллитном барьере. Рассчитана эквивалентная схема таких пленок, которая позволяет пояснить характер протекающих в них процессов релаксации заряда на межкристаллических прослойках и процессов туннелирования. Количественная оценка постоянной времени релаксации фототока позволяет рассчитать минимальное время, необходимое для достижения равновесного значения тока, то есть минимальную длительность оптического сигнала в режиме поэлементного опроса датчиков фотоприемного модуля. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/18651 |
Other Identifiers: | УДК: 539.216.2:546.817.221 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.