Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/18613
Title: | Инжекционное усиление в неоднородно легированных полупроводниках |
Authors: | Курмашев, Шамиль Джамашевич Викулин, Иван Михайлович Сидорец, Р. Г. |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2003 |
Publisher: | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова |
Keywords: | инжекционные токи фотоэлектрическое инжекционное усиление фотоприемник |
Series/Report no.: | ;Вип. 12 |
Abstract: | Изучены инжекционные токи и фотоэлектрическое инжекционное усиление в полупроводниковых р—і—n структурах с неравномерным распределением примесей в базовой области. Неоднородное легирование позволяет увеличить коэффициент инжекционного усиления фотоприемников |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/18613 |
Other Identifiers: | УДК 621.382 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.