Полевые транзисторы с инжекцией из истока на основе слоистого CdхHg1хTe
Вантажиться...
Дата
1999
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Изучался полевой транзистор с инжекцией из истока на основе слоистого твердого раствора CdxHg1хТе. Показано, что параметр неоднородности базового материала влияет на вольт-амперную характеристику транзистора.
Опис
Ключові слова
полевой транзистор, вольт-ампернакя характеристика, узкозонный полупроводник, CdHgTe
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics