Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16523
Title: | Рефрактометричні характеристики напівпровідникових лазерів |
Authors: | Птащенко, Олександр Олександрович Птащенко, Федір Олександрович Птащенко, Александр Александрович Ptashchenko, Oleksandr O. |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2002 |
Publisher: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Keywords: | ват-амперна характеристика поляризація гетероструктура інжекція |
Series/Report no.: | ;Вип. 11. |
Abstract: | Експериментально досліджено вплив навколишньої діелектричної рідини (етилового спирту та скипидару) на ват-амперні характеристики та поляризацію спонтанного і ла зерного випромінювання лазерних гетероструктур на основі GaAs— AlGaAs, а також на кутовий розподіл випромінювання у віддаленому полі. Показано, що зміну інтенсивності випромінювання та його поляризації при зміні навколишньої рідини можна використати для вимірювання показника заломлення даної рідини. Розраховано вплив показника заломлення зовнішнього середовища на інтенсивність та ступінь поляризації випромінювання гетероструктур у різних режимах інжекції: у спонтанному режимі, у режимі суперлюмінесценції та у лазерному режимі. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16523 |
Other Identifiers: | УДК 621.319 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.