Электропроводность и люминесценция монокристаллов селенида цинка, отожженных в селене
Вантажиться...
Дата
2002
Автори
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследованы электрофизические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe и
Z n S e :In :Z n , отожженных в парах селена. Показано, что отжиг в селене приводит к
инверсии типа проводимости. Дырочная проводимость кристаллов, отожженных в селене,
контролируется акцепторами, в состав которых входят вакансии цинка, а также
амфотерные примеси индия Іn5, локализованные в подрешетке селена. Увеличение
концентрации катионных вакансий приводит к разгоранию люминесценции и росту
фотопроводимости в области 460—480 нм.
Опис
Ключові слова
инверсия, кристалл, акцептор, амфотерная примесь
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics