Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16480
Title: | Инжекция неосновных носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах на основе Sі : Au |
Authors: | Курмашев, Шамиль Джамашевич Викулин, Иван Михайлович Сидорец, Р. Г. Софронков, А. Н. |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2002 |
Publisher: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Keywords: | инжекция диффузия коэффициент диэлектрическая прослойка |
Series/Report no.: | ;Вып. 11. |
Abstract: | Обсуждается инжекция носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах Ni-Sі : Au при прямом смещении в приближении термоэлектронной эмиссии — диффузии Показано, что коэффициент инжекции у может быть достаточно большим при наличии диэлектрической прослойки (Sі О2) между металлом и полупроводником. Повышение удельного сопротивления исходного материала и снижение температуры так же собствует росту у. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16480 |
Other Identifiers: | УДК 621.382 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.