Photosensors with Si— GaAs heterojunction as memory elements
Вантажиться...
Файли
Дата
2001
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The photosensors with non-ideal heterojunction, prepared by special technique, have
property of anode voltage independent accumulation and memory. The regularity of
structure switching was found in dependence on intensity and duration of light signal.
The mechanism of memory effects is proposed. The possibility of creating of energy
independent memory devices is shown.
Опис
Ключові слова
photoheterothyristors, heterojunction, qualitatively, illumination
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics