Luminescence of Zinc Selenide Single Crystals doped with indium
Вантажиться...
Дата
2001
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The spectra of edge and long wavelength photoluminescence for single crystals
ZnSe:In, obtained by free growth procedure are investigated. Spectrum of edge emission
for low doped crystals ([In] = 1016 ст~ъ) is characterised by lines of emission of free
excitons and donor-acceptor pairs (DAP). At concentrations of indium higher 1017 ctrr3,
the emission of excitons, bounded on neutral zinc vacancies, appears. Spectrum of a
long wavelength luminescence evidences the presence in the crystals, charged vacancies
of zinc (V7 ., Vz2„) included in composition of DAP.
Опис
Ключові слова
semiconductor, photoluminescence, crystals, spectrophotometer
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics