Характеристики ик-фоточувствительности инжекционных insb-фотодиодов
Вантажиться...
Дата
2000
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствителъности инжекционных
фотодиодов на основе p-InSb. Обсуждаются особенности технологии изготовления
структур. Показано, что чувствительность приемников определяется уровнем модуляции
проводимости базы инжекционным током. На основе p-InSb могут быть созданы
высокочувствительные фотоприемники для области спектра X = 8—12 мкм.
Опис
Ключові слова
фотодиод, фоточувствителъность, инжекционный ток, спектр
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics