Тонкая структура углового распределения излучения полупроводниковых лазеров
Вантажиться...
Дата
1999
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Изучено угловое распределение Фф(ф) (в плоскости, перпендикулярной к р-п-пере- ходу) в дальнем поле и ближнее поле излучения полупроводниковых лазеров с полосковой геометрией на основе GaAs-AlGaAs. Наблюдались осцилляции Фф(<р) для излучения ТЕ моды и отсутствовали в ТМ моде. Тонкая структура Ф9(ср) объясняется неоднородностью показателя преломления в резонаторе и может быть использована для оценки данной неоднородности.
Опис
Ключові слова
излучение полупроводникового лазера, угловое распределение излучения, диодный лазер
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics