Влияние внешних факторов на параметры магнитотранзисторных структур
Вантажиться...
Дата
2000
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследовано влияние температуры и радиационного облучения на абсолютную чувствительность,
эффективность преобразования и разрешающую способность двухколлекторных
магнитотранзисторов. Показано, что влияние температуры на разрешающую
способность обусловлено, главным образом, ее влиянием на величину остаточного
сигнала, основными причинами возникновения которого являются геометрическая
асимметрия и неоднородность свойств материала.
Опис
Ключові слова
ддвухколлекторный магнитотранзисторо, геометрическая асимметрия, межколлекторное расстояние, эмиттер
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics