Влияние внешних факторов на параметры магнитотранзисторных структур

Исследовано влияние температуры и радиационного облучения на абсолютную чувствительность, эффективность преобразования и разрешающую способность двухколлекторных магнитотранзисторов. Показано, что влияние температуры на разрешающую способность обусловлено, главным образом, ее влиянием на величину остаточного сигнала, основными причинами возникновения которого являются геометрическая асимметрия и неоднородность свойств материала.

Ключові слова

ддвухколлекторный магнитотранзисторо, геометрическая асимметрия, межколлекторное расстояние, эмиттер

Бібліографічний опис

Фотоэлектроника = Photoelectronics

URI

https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16396

Зібрання

Photoelectronics

Повна інформація про документ