Роль примеси лития в формировании длинноволновой люминесценции теллурида цинка
Вантажиться...
Дата
2000
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследовался механизм формирования собственных дефектов в пленках ZnTe. легированных
литием. Показано, что образование акцепторных дефектов при введении
лития — LiZn способствует разрушению центров самоактивированной люминесценции
и образованию собственного дефекта — вакансии теллура, которая является глубоким
донором. Излучательная рекомбинация, обуславливающая длинноволновую люминесценцию
при Хиакс = 0,75 мкм, осуществляется по схеме: глубокий донор — мелкий
акцептор.
Опис
Ключові слова
литий, акцепторный дефект, люминесценция, вакансия теллура, рекомбинация, акцептор
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics