Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16377
Title: | Mo-si-фотоприемник с перестраиваемой спектральной чувствительностью |
Authors: | Курмашев, Шамиль Джамашевич Шевчук, О. Б. Шенкевич, А. Л. Могильницкий, А. Л. |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2000 |
Publisher: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Keywords: | длинно-волновая граница фотоприемник импульс когерентное излучение |
Series/Report no.: | ;Вип. 9. |
Abstract: | Использование давления является одним из способов перестройки длинно-волновой границы и увеличения чувствительности фотоприемников на основе контакта металл—полупроводник. Изучалось влияние давления на выпрямляющий контакт Mo-Si с локальными уровнями в запрещенной зоне кремния. Структуры подвергались воздействию когерентного импульсного излучения с длиной волны Я. = 1.06 мкм и длительностью импульса 10 3 с. Относительная величина перестройки длинноволновой границы для давления 1.5-106 Па после воздействия когерентного излучения составляет ~ 50%. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16377 |
Other Identifiers: | УДК 621.315.592 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.