Исследование процессов токопереноса на границах раздела и в объёме полупроводниковых барьерных структур с целью создания эффективных оптических и рентгеновских сенсоров изображения
Вантажиться...
Файли
Дата
2000
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Разработана модель, позволяющая с единых позиций объяснить явления, связанные с токопереносом в области пространственного заряда гетероперехода CdS—Cu2S, причем установлено, что существенную роль в таком токопереносе играет туннельно-прыжковая проводимость по состояниям в запрещенной зоне CdS с последующей рекомбинацией носителей на состояниях границы раздела. На базе неидеальной тонкопленочной гетероструктуры создан сенсор изображения с внутренним усилением, эффективно работающий в оптическом и рентгеновском диапазонах.
Опис
Ключові слова
проводимость, рентгеновский диапазон, токоперенос, барьерные структуры, рентгеновский сенсор
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics