Электрические процессы в полупроводниковых слоях селенида кадмия, обусловленные структурными превращениями. Возможные приложения
Вантажиться...
Дата
1996
Автори
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Анализируются физические условия функционирования чувствительного элемента для регистрации упругих напряжений в микрообъеме микроэлектронной системы. В качестве чувствительного элемента используется полупроводниковая поликристаллическая пленка, содержащая кристаллиты двух структурных модификаций CdSe(a + Р). На границах раздела кристаллитов упомянутых фаз аир возникают значительные механические напряжения. Результаты этих процессов могут быть зарегистрированы электрически в виде резкого изменения темнового тока в контуре, содержащем чувствительный элемент.
Опис
Ключові слова
селенид кадмия, электрические процессы, полупроводниковые слои селенида кадмия
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics