Механизм излучательной рекомбинации в эпитаксиальных пленках теллурида цинка, легированных алюминием
Вантажиться...
Дата
1996
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследована примесная люминесценция эпитаксиальных пленок теллурида цинка, легированных алюминием в процессе роста из жидкой фазы. Показано, что атомы алюминия создают в теллуриде цинка два типа дефектов, которые ответственны за полосы люминесценции X = 0,58 и 0,61 мкм.
Опис
Ключові слова
теллурид цинка, примесная люминесценция эпитаксиальных пленок
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics