Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16207
Title: Механизм излучательной рекомбинации в эпитаксиальных пленках теллурида цинка, легированных алюминием
Authors: Дали, Абдул Кадер
Али Нажи Дарвишо
Малушин, Николай Васильевич
Сердюк, Виктор Васильевич
Скобеева, Валентина Михайловна
Скобєєва, Валентина Михайлівна
Skobeeva, Valentyna M.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 1996
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: теллурид цинка
примесная люминесценция эпитаксиальных пленок
Series/Report no.: ;Вып. 6.
Abstract: Исследована примесная люминесценция эпитаксиальных пленок теллурида цинка, легированных алюминием в процессе роста из жидкой фазы. Показано, что атомы алюминия создают в теллуриде цинка два типа дефектов, которые ответственны за полосы люминесценции X = 0,58 и 0,61 мкм.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/16207
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
20-21.pdf207.04 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.